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参数资料
| 型号： | IPB80N06S3L-06 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| 中文描述： | ㈢的OptiMOS - T的功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | IPB80N06S3L-06 |
IPB80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06, IPP80N06S3L-06
13 Typical avalanche Energy
14 Drain-source breakdown voltage
E
AS
= f(
T
j
)
V
BR(DSS)
= f(
T
j
);
I
D
= 1 mA
parameter:
I
D
15 Typ. gate charge
16 Gate charge waveforms
V
GS
= f(
Q
gate
);
I
D
= 80 A pulsed
parameter:
V
DD
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
11 V
44 V
0
2
4
6
8
10
12
0
50
100
150
200
Q
gate
[nC]
V
G
40 A
30 A
20 A
0
100
200
300
400
500
600
0
50
100
150
200
T
j
[°C]
E
A
V
G
Q
Q
g
Q
g
Q
g
Rev. 1.0
page 7
2005-09-16
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB80N06S3L-08 | OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
| IPB80N08S2-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N08S2L-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80P03P3L-04 | OptiMOS-P Power-Transistor |
| IPD03N03LB | OptiMOS 2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB80N06S3L-06_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
| IPB80N06S3L06ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 |
| IPB80N06S3L06XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB80N06S3L-08 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N06S3L-08_07 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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