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参数资料
| 型号： | IPB60R099CP |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CoolMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 的CoolMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 333K |
| 代理商： | IPB60R099CP |
IPB60R099CP
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous diode forward current
I
S
A
Diode pulse current
2)
I
S,pulse
93
Reverse diode d
v
/d
t
4)
d
v
/d
t
15
V/ns
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
0.5
K/W
R
thJA
SMD version, device
on PCB, minimal
footprint
SMD version, device
on PCB, 6 cm
2
cooling
area
5)
-
-
62
-
35
-
Soldering temperature,
reflowsoldering
T
sold
reflow MSL 1
-
-
260
°C
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 μA
600
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=1.2 mA
2.5
3
3.5
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
-
5
μA
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
-
50
-
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
-
-
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=25 °C
-
0.09
0.099
V
GS
=10 V,
I
D
=18 A,
T
j
=150 °C
-
0.24
-
Gate resistance
R
G
f
=1 MHz, open drain
-
1.3
-
Value
T
C
=25 °C
18
Values
Thermal resistance, junction -
ambient
Rev. 2.0
page 2
2006-06-19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB60R165CP | CoolMOS Power Transistor |
| IPB60R199CP | CoolMOS Power Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IPB60R099CPAATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| IPB60R099CPATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK |
| IPB60R099CPXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB60R125C6 | 功能描述:MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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