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参数资料
| 型号： | IPB60R099CP |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | CoolMOS Power Transistor |
| 中文描述： | 的CoolMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 333K |
| 代理商： | IPB60R099CP |
IPB60R099CP
13 Typ. capacitances
14 Typ. Coss stored energy
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
E
oss
=
f
(V
DS
)
0
4
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V
DS
[V]
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3
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1
10
0
0
100
200
300
400
500
V
DS
[V]
C
Rev. 2.0
page 7
2006-06-19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IPB60R099CPAATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 |
| IPB60R099CPATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK |
| IPB60R099CPXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB60R125C6 | 功能描述:MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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