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参数资料
| 型号： | IPB80CN10NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 708K |
| 代理商： | IPB80CN10NG |
IPB80CN10N G IPD78CN10N G
IPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N G
Rev. 1.01
page 10
2006-06-02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD78CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB80N04S2-04 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB80N04S2-H4 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPBH6N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD03N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPB80N03S4L02 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N03S4L-02 | 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A 2.4mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N03S4L02ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 |
| IPB80N03S4L03 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPB80N03S4L-03 | 功能描述:MOSFET OPTIMOS-T2 POWER-TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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