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参数资料
| 型号： | IPD05N03LBG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | IPD05N03LBG |
IPD05N03LB G IPS05N03LB G
Package Outline
PG-TO252-3-11
PG-TO252-3-11: Outline
Footprint:
Packaging:
Rev. 1.6
page 8
2006-05-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD06N03LA | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; No. of Contacts:55; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Socket; Insert Arrangement:22-55 |
| IPD06N03L | Circular Connector; Body Material:Aluminum; Series:PT06; Number of Contacts:41; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Circular Contact Gender:Socket; Insert Arrangement:22-41 |
| IPD07N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPU07N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPD09N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPD05N03LBGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPD060N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD060N03LG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 50A OptiMOS3 TO252 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPD060N03LGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel |
| IPD060N03LGBTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |
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