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参数资料
| 型号： | IPD25CNE8NG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 658K |
| 代理商： | IPD25CNE8NG |
IPB26CNE8N G IPD25CNE8N G
IPI26CNE8N G IPP26CNE8N G IPU25CNE8N G
PG-TO252-3: Outline
Rev. 1.0
page 11
2006-02-17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI26CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB50CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPB80N04S2L-03 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPD25CNE8NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPD25N06S240 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD25N06S2-40 | 功能描述:MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 29A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPD25N06S240ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 29A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 |
| IPD25N06S4L-30 | 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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