- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384485 > IPF05N03LA (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS 2 Power-Transistor PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPF05N03LA |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | IPF05N03LA |
IPD05N03LA IPF05N03LA
IPS05N03LA IPU05N03LA
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
50 μA
500 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 87%
175 °C, 98%
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.7
page 6
2004-05-19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LB | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPS511G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS512G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS511 | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPF05N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPF05N03LAG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000017606_Power MOSFET |
| IPF060N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPF060N03LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS |
| IPF06N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。