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参数资料
| 型号： | IPF05N03LA |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶体管 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | IPF05N03LA |
IPD05N03LA IPF05N03LA
IPS05N03LA IPU05N03LA
Package Outline
P-TO252-3-11: Outline
Footprint:
Packaging:
Dimensions in mm
Rev. 1.7
page 8
2004-05-19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LB | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPS511G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS512G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS511 | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPF05N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPF05N03LAG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000017606_Power MOSFET |
| IPF060N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPF060N03LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS |
| IPF06N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor |
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