参数资料
型号: IPF05N03LAG
厂商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶体管
文件页数: 4/12页
文件大小: 414K
代理商: IPF05N03LAG
IPD05N03LA G IPF05N03LA G
IPS05N03LA G IPU05N03LA G
1 Power dissipation
2 Drain current
P
tot
=f(
T
C
)
I
D
=f(
T
C
);
V
GS
10 V
3 Safe operating area
4 Max. transient thermal impedance
I
D
=f(
V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
Z
thJC
=f(
t
p
)
parameter:
t
p
parameter:
D
=
t
p
/
T
1 μs
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms
DC
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
[V]
I
D
limited by on-state
resistance
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
t
p
[s]
10
-4
10
-5
10
-6
0.01
0.1
1
10
0
0
0
0
0
0
1
Z
t
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
P
t
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
T
C
[°C]
I
D
Rev. 2.0
page 4
2006-05-11
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PDF描述
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IPF06N03LAG 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube