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参数资料
| 型号： | IPF05N03LAG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | IPF05N03LAG |
IPD05N03LA G IPF05N03LA G
IPS05N03LA G IPU05N03LA G
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 2.0
page 5
2006-05-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD06N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPF06N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD06N03LBG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD09N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPD10N03LA | OptiMOS2 Power-Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPF060N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A 6mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPF060N03LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS |
| IPF06N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPF06N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPF06N03LAG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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