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参数资料
| 型号： | IPF12N03LBG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 427K |
| 代理商： | IPF12N03LBG |
IPD12N03LB G IPS12N03LB G
IPU12N03LB G IPF12N03LB G
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=15 A pulsed
parameter: T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
6 V
15 V
24 V
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
Q
gate
[nC]
V
G
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.5
page 7
2006-05-15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD12N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPU12N03L | DDM43W2S |
| IPD144N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD14N03L | MULTI DVI RECEIVER - FIBER |
| IPD20N03L | OptiMOS Buck converter series |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPF135N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPF135N03LG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor |
| IPF13N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPF13N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPF13N03LAG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000017610_Power MOSFET |
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