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参数资料
| 型号： | IPF13N03LAG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 25 V, 0.0128 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 547K |
| 代理商： | IPF13N03LAG |
IPD13N03LA G
IPF13N03LA G
IPS13N03LA G
IPU13N03LA G
OptiMOS2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I D
T C=25 °C
2)
30
A
T C=100 °C
30
Pulsed drain current
I D,pulse
T C=25 °C
3)
210
Avalanche energy, single pulse
E AS
I D=24 A, R GS=25
60
mJ
Reverse diode dv /dt
dv /dt
I D=30 A, V DS=20 V,
di /dt =200 A/s,
T j,max=175 °C
6
kV/s
Gate source voltage
4)
V GS
±20
V
Power dissipation
P tot
T C=25 °C
46
W
Operating and storage temperature
T j, T stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V DS
25
V
R DS(on),max
12.8
m
I D
30
A
Product Summary
Type
IPD13N03LA
IPF13N03LA
IPS13N03LA
IPU13N03LA
Package
P-TO252-3-11
P-TO252-3-23
P-TO251-3-11
P-TO251-3-1
Marking
13N03LA
Rev. 2.2
page 1
2008-04-14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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