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参数资料
| 型号： | IPF13N03LAG |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 30 A, 25 V, 0.0128 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 547K |
| 代理商： | IPF13N03LAG |
IPD13N03LA G
IPF13N03LA G
IPS13N03LA G
IPU13N03LA G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction - case
R thJC
-
3.2
K/W
SMD version, device on PCB
R thJA
minimal footprint
-
75
6 cm
2 cooling area5)
--
50
Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA
25
-
V
Gate threshold voltage
V GS(th)
V DS=V GS, I D=20 A
1.2
1.6
2
Zero gate voltage drain current
I DSS
V DS=25 V, V GS=0 V,
T j=25 °C
-
0.1
1
A
V DS=25 V, V GS=0 V,
T j=125 °C
-
10
100
Gate-source leakage current
I GSS
V GS=20 V, V DS=0 V
-
10
100
nA
Drain-source on-state resistance
R DS(on)
V GS=4.5 V, I D=20 A
-
17.5
21.9
m
V GS=10 V, I D=30 A
-
10.7
12.8
Gate resistance
R G
-
0.9
-
Transconductance
g fs
|V DS|>2|I D|R DS(on)max,
I D=30 A
18
36
-
S
5) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 m thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
Values
2) Current is limited by bondwire; with anR
thJC=3.2 K/W the chip is able to carry 47 A.
3) See figure 3
4) T
j,max=150 °C and duty cycle D <0.25 for V GS<-5 V
1) J-STD20 and JESD22
Rev. 2.2
page 2
2008-04-14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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