- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384485 > IPS05N03LA (INFINEON TECHNOLOGIES AG) RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IPS05N03LA |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶体管 |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | IPS05N03LA |
IPD05N03LA IPF05N03LA
IPS05N03LA IPU05N03LA
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on resistance
I
D
=f(
V
DS
);
T
j
=25 °C
R
DS(on)
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D
=f(
V
GS
); |
V
DS
|>2|
I
D
|
R
DS(on)max
g
fs
=f(
I
D
);
T
j
=25 °C
parameter:
T
j
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
I
D
[A]
R
D
]
25 °C
175 °C
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
60
I
D
[A]
g
f
2.8 V
3 V
3.2 V
3.5 V
3.8 V
4.1 V
4.5 V
10 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1
2
3
V
DS
[V]
I
D
Rev. 1.7
page 5
2004-05-19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPF05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LB | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPS511G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS512G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS05N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS05N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS05N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS05N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS05N03LBG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。