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参数资料
| 型号： | IPS05N03LA |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL |
| 中文描述： | 的OptiMOS 2功率晶体管 |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 434K |
| 代理商： | IPS05N03LA |
IPD05N03LA IPF05N03LA
IPS05N03LA IPU05N03LA
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
50 μA
500 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 87%
175 °C, 98%
1
10
100
1000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.7
page 6
2004-05-19
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPF05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPD05N03LB | OptiMOS2 Power-Transistor |
| IPS511G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS512G | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS05N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS05N03LAG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS05N03LAGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS05N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPS05N03LBG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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