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参数资料
| 型号： | IPS1052GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC IPS SW LOW SIDE 2CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 160 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 500mA |
| 电流 - 峰值输出： | 2.8A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS1051LPbF / IPS1052GPbF
Static Electrical Characteristics
Tj=25°C, Vcc=14V (unless otherwise specified)
Symbol
Rds(on)
Idss1
Idss2
V clamp1
V clamp2
Vin clamp
Vth
Parameter
ON state resistance Tj=25°C
ON state resistance Tj=150°C
Drain to source leakage current
Drain to source leakage current
Drain to source clamp voltage 1
Drain to source clamp voltage 2
IN to source pin clamp voltage
In put threshold voltage
Min.
?
?
?
?
36
?
5.5
?
Typ.
160
340
0.1
0.2
38
39
6.5
1.7
Max.
250
450
5
10
?
42
7.5
?
Units
m ?
μA
V
Test Conditions
V in=5 V , Id s=1 A
Vcc=14V, Tj=2 5°C
Vcc=28V, Tj=25°C
Id=20mA
Id=0.5A
Iin=1mA
Id=10mA
Switching E lectrical Characteri stics
Vcc=14V, Resistive load=10 ? , Rinput=50 ? , Vin=5V , Tj=25°C
Symbol
Tdon
Tr
Tdoff
Tf
Eon + Eoff
Parameter
T urn-on delay time to 20%
Rise time 20% to 80%
Turn-off delay time to 80%
Fall time 80% to 20%
Turn on and off energy
Min.
1
1
3
2
?
Typ.
3
3
15
4
0.1
Ma x.
10
10
40
10
?
Units
μs
mJ
Te s t Conditions
S ee fi gur e 2
P rote ction Characteristics
Symb ol
Tsd
Isd
OV
Parameter
O ver temperature threshold
Over current threshold
O ver voltage protection (not active when
Min.
150(2)
1.9
34
Typ.
165
2.8
37
Max.
?
3.8
?
Units
°C
A
V
Tes t Conditions
See fi gur e 1
See figure 1
the device is ON )
Vreset
IN protection reset threshold
?
1.7
?
V
Treset
Time to reset protection
15(2)
50
200
μs
Vin=0V, Tj=25°C
(2)Guaranteed by design
Diagnostic
Sym bol
Pa rameter
Min.
Typ.
Ma x.
Units
T est Conditions
Iin, on
Iin, off
ON state IN positive current
OF F state IN positive current
15
150
32
23 0
70
350
μA
Vin=5V
(af ter protection latched – fault condition)
www.irf.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS2041RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE 1CH DPAK |
| IPS511F | IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220FP |
| IPS512G | IC MOSFET HS PWR SW 5A 16-SOIC |
| IPS521F | IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220-5 |
| IPS521GTR | IC MOSFET HS PWR SW 5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS105N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 10.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS105N03LG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 35A OptiMOS3 TO251 |
| IPS105N03LGAKMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3 |
| IPS105N03LGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS10N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS2 Power-Transistor |
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