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参数资料
| 型号： | IPS1052GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC IPS SW LOW SIDE 2CH 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 160 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 500mA |
| 电流 - 峰值输出： | 2.8A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IPS1051LPbF / IPS1052GPbF
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
60°C/W
100°C/W
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
0
50
100
150
1
10
100
1000
Tamb , Ambient temperature (°C)
Figure 9 – Max. continuous output current (A) Vs
Ambient temperature (°C)
10
Protection response time (s)
Fig ure 10 – Ids (A) Vs over temperature protectio n
response time (s) / IPS1051L
100
10
1
0.1
0.01
1
0.001
0.01
0.1
1
1E-6
1E-4
1E-2
1E+0
1E+2
Inductive load (mH)
Figure 11 – Max. ouput current (A)
V s Inductive load (mH)
www.irf.com
Time (s)
Figure 12 – Transient thermal impedance (°C/W)
Vs time (s)
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS2041RTRLPBF | IC IPS SW LOW SIDE 1CH DPAK |
| IPS511F | IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220FP |
| IPS512G | IC MOSFET HS PWR SW 5A 16-SOIC |
| IPS521F | IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220-5 |
| IPS521GTR | IC MOSFET HS PWR SW 5A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS105N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A 10.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPS105N03LG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 35A OptiMOS3 TO251 |
| IPS105N03LGAKMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TO251-3 |
| IPS105N03LGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPS10N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS2 Power-Transistor |
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