型号: | IPS511 |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
中文描述: | 充分保护高压侧功率MOSFET开关 |
文件页数: | 5/12页 |
文件大小: | 191K |
代理商: | IPS511 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IPS511S | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
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IPU05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
IQ82C55A | CMOS Programmable Peripheral Interface |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IPS511E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PERIPHERAL DRIVER|1 DRIVER|MOS|LLCC|18PIN|CERAMIC |
IPS511F | 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220FP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧,1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA,410mA 电流 - 峰值输出:500mA,1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
IPS511G | 功能描述:功率驱动器IC IPS 1 Ch Low Side Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
IPS511GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
IPS511GTR | 功能描述:功率驱动器IC High Side Pow FET 150mOhm 50V 5A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |