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参数资料
| 型号： | IPS512G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| 中文描述： | 充分保护高压侧功率MOSFET开关 |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | IPS512G |
IPS511G/IPS512G
4
www.irf.com
Lead Assignments
Part Number
8 Lead SOIC
IPS511G
IPS512G
1
GND IN DG OUT
Vcc Vcc Vcc Vcc
16 Lead SOIC
1
In1 Gnd1 Vcc Vcc Vcc Vcc Out2 Dg2
Dg1 Out1 Vcc Vcc Vcc Vcc Gnd2 In2
Symbol Parameter
Ilim
Internal current limit
Tsd+
Over-temp. positive going threshold
Tsd-
Over-temp. negative going threshold
V
sc
Short-circuit detection voltage (3)
V
open load
Open load detection threshold
Min.
3
—
—
2
2
Typ.
5
165
158
3
3
Max. Units Test Condition
s
7
A
Vout = 0V
—
See fig. 2
—
See fig. 2
4
V
See fig. 2
4
V
o
C
o
C
Protection Characteristics
(3) Referenced to Vcc
Switching Electrical Characteristics
Vcc = 14V, Resistive Load = 5.6
, T
j
= 25
o
C, (unless otherwise specified).
Symbol Parameter
Tdon
Turn-on delay time
Tr1
Rise time to Vout = Vcc - 5V
Tr2
Rise time from the end of TR1 to
Vout = 90% of Vcc
dV/dt (on) Turn ON dV/dt
Eon
Turn ON energy
Tdoff
Turn-off delay time
Tf
Fall time to Vout = 10% of Vcc
dV/dt (off) Turn OFF dV/dt
Eoff
Turn OFF energy
Tdiag
Vout to Vdiag propagation delay
Min.
—
—
Typ.
7
10
Max. Units Test Conditions
50
50
See figure 3
—
—
—
—
—
—
—
—
45
1.3
400
15
10
2
80
5
95
4
—
50
50
6
—
15
V/
μ
s
μ
J
μ
s
V/
μ
s
μ
J
μ
s
μ
s
See figure 4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPS511 | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS511S | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPS5551T | FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH |
| IPU05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IQ82C55A | CMOS Programmable Peripheral Interface |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPS512GTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:PWR SWIT HI SIDE 1A 16SOIC N - Tape and Reel |
| IPS521 | 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS521F | 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220-5 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧，1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA，410mA 电流 - 峰值输出:500mA，1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR) |
| IPS521G | 功能描述:功率驱动器IC IPS 1 Ch Low Side Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IPS521GPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH SO-8 |
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