参数资料
型号: IPS512G
厂商: International Rectifier
英文描述: FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
中文描述: 充分保护高压侧功率MOSFET开关
文件页数: 8/11页
文件大小: 182K
代理商: IPS512G
IPS511G/IPS512G
8
www.irf.com
Figure 11a - Max load current (A) Vs Tamb (
o
C)
IPS511G
Figure 11b - Max load current (A) Vs Tamb (
o
C)
IPS512G
0
1
2
3
4
5
25
50
75
100
125
150
Standard footprint
Rth=100°C/W
1inch2 footprint
Rthja= 60°C/W
0
1
2
3
4
5
25
50
75
100
125
150
Standard footprint
both legs on
Standard footprint
one leg on
Figure 12 - Transient Thermal Impedance (
o
C/W)
Vs Time (S) - IPS511G/IPS512G
Figure 13 - Ilim (A) Vs Tj (
o
C)
0,01
0,1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
-50
0
50
100
150
相关PDF资料
PDF描述
IPS511 FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
IPS511S FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
IPS5551T FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH
IPU05N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IQ82C55A CMOS Programmable Peripheral Interface
相关代理商/技术参数
参数描述
IPS512GTR 制造商:International Rectifier 功能描述:PWR SWIT HI SIDE 1A 16SOIC N - Tape and Reel
IPS521 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧,1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA,410mA 电流 - 峰值输出:500mA,1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR)
IPS521F 功能描述:IC MOSFET HS PWR SW 5A TO-220-5 RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:高端/低端驱动器 输入类型:SPI 输出数:8 导通状态电阻:850 毫欧,1.6 欧姆 电流 - 输出 / 通道:205mA,410mA 电流 - 峰值输出:500mA,1A 电源电压:9 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 供应商设备封装:PG-DSO-20-45 包装:带卷 (TR)
IPS521G 功能描述:功率驱动器IC IPS 1 Ch Low Side Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IPS521GPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IC MOSFET SMART SWITCH SO-8