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参数资料
| 型号： | IPS521G |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET HS PWR SW 5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 80 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 1.6A |
| 电流 - 峰值输出： | 10A |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IPS521G |
IPS521G
Static Electrical Characteristics
(Tj = 25 o C, Vcc = 14V unless otherwise specified.)
Symbol Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
Rds(on)
@Tj=25 o C
ON state resistance Tj = 25 o C
—
80
100
Vin = 5V, Iout = 5A
Rds(on)
(V cc=6V)
Rds(on)
ON state resistance @ Vcc = 6V
ON state resistance Tj = 150 o C
—
—
80
125
100
160
m ?
Vin = 5V, Iout = 2.5A
Vin = 5V, Iout = 5A
@Tj=150 o C
Vcc oper.
Operating voltage range
5.5
—
35
V clamp 1
V clamp 2
Vf
Icc off
Icc on
Icc ac
Vdgl
Ioh
Iol
Idg
leakage
Vih
Vil
Iin, on
In hyst.
Vcc to OUT clamp voltage 1
Vcc to OUT clamp voltage 2
Body diode forward voltage
Supply current when OFF
Supply current when ON
Ripple current when ON (AC RMS)
Low level diagnostic output voltage
Output leakage current
Output leakage current
Diagnostic output leakage current
IN high threshold voltage
IN low threshold voltage
On state IN positive current
Input hysteresis
50
—
—
—
—
—
—
—
0
—
—
1
—
0.1
55
56
0.9
13
0.6
20
0.4
50
—
—
2.2
1.9
70
0.25
—
65
1.2
50
2
—
—
120
25
10
3
—
200
0.5
V
μ A
mA
μ A
V
μ A
V
μ A
V
Id = 10mA (see Fig.1 & 2)
Id = Isd (see Fig.1 & 2)
Id = 2.5A, Vin = 0V
Vin = 0V, Vout = 0V
Vin = 5V
Vin = 5V
Idg = 1.6 mA
Vout = 6V
Vout = 0V
Vdg = 5.5V
Vin = 5V
Switching Electrical Characteristics
Vcc = 14V, Resistive Load = 2.8 ? , T j = 25 o C, (unless otherwise specified).
Symbol Parameter
Min.
Typ. Max. Units Test Conditions
Tdon
Turn-on delay time
a
10
40
Tr1
Rise time to Vout = Vcc - 5V
a
25
60
μ s
Tr2 Rise time Vcc - 5V to Vout = 90% of Vcc
dV/dt (on) Turn ON d V/dt
—
a
130
0.7
200
2
V/ μ s
See figure 3
Eon
Turn ON energy
—
1500
—
μ J
Tdoff Turn-off delay time
Tf Fall time to Vout = 10% of Vcc
dV/dt (off) Turn OFF d V/dt
Eoff Turn OFF energy
—
—
a
—
35
16
0.9
250
70
50
3
—
μ s
V/ μ s
μ J
See figure 4
Tdiag
Vout to Vdiag propagation delay
—
5
15
μ s
See figure 6
www.irf.com
3
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