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参数资料
| 型号： | IPU20N03L |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Buck converter series |
| 中文描述： | 的OptiMOS降压转换器系列 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | IPU20N03L |
2003-01-17
Page 5
IPD20N03L
IPU20N03L
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
V
DS
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
A
75
IPD20N03L
P
tot
= 60W
I
D
V
GS [V]
a
a
3.0
b
b
3.5
c
c
4.0
d
d
4.5
e
e
5.0
f
f
6.0
g
g
7.0
h
h
10.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
0
10
20
30
40
50
A
I
D
65
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
m
65
IPD20N03L
R
D
V
GS
[V] =
c
4.0
c
d
d
4.5
e
e
5.0
f
f
6.0
g
g
7.0
h
h
10.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
1
2
3
4
V
5.5
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
A
60
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
5
10
15
20
A
30
I
D
0
5
10
15
20
S
30
g
f
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD230N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD230N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IPU20N03LG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPU20N03LGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPU25CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPU25CN10NG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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