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参数资料
| 型号： | IPU20N03L |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Buck converter series |
| 中文描述： | 的OptiMOS降压转换器系列 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | IPU20N03L |
2003-01-17
Page 7
IPD20N03L
IPU20N03L
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 15 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
2
4
6
8
10
12
mJ
16
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 15 A pulsed
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
nC
21
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
IPD20N03L
V
G
0.2
V
DS max
0.5
V
DS max
0.8
V
DS max
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
27
28
29
30
31
32
33
34
V
36
IPD20N03L
V
(
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPD230N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD230N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD350N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD400N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD60R385CP | CoolMOS Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IPU20N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IPU20N03LG | 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPU20N03LGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPU25CN10N G | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IPU25CN10NG | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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