参数资料
型号: IR1166STRPBF
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC
标准包装: 1
系列: SmartRectifier™
配置: 低端
输入类型: 自振荡
延迟时间: 52ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 11.4 V ~ 18 V
工作温度: -25°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
配用: IRAC1166-100W-ND - BOARD DEMO 100W FOR IR1166
其它名称: IR1166STRPBFDKR
IR1166S
Absolute Maximum Ratings
Stress beyond those listed under "Absolute Maximum Ratings" may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only and functional operation of the device at these conditions are not implied. All
voltages are absolute voltages referenced to GND. Thermal resistance and power dissipation are measured under
board mounted and still air conditions.
Parameters
Supply Voltage
Enable Voltage
Cont. Drain Sense Voltage
Pulse Drain Sense Voltage
Source Sense Voltage
Symbol
V CC
V EN
V D
V D
V S
Min.
-0.3
-0.3
-3
-5
-3
Max.
20
20
200
200
20
Units
V
Remarks
Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
V GATE
T J
T S
-0.3
-40
-55
20
150
150
°C
V CC =20V, Gate off
Thermal Resistance
Package Power Dissipation
R ΘJA
P D
128
970
°C/W
mW
SOIC-8
SOIC-8, T AMB =25°C
ESD Protection
Switching Frequency
V ESD
fsw
1.5
500
kV
kHz
Human Body Model
?
?
Per EIA/JESD22-A114-B (discharging a 100pF capacitor through a 1.5k ? series resistor).
5
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
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