参数资料
型号: IR1166STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 6/25页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DRIVER N-CH 200V 8SOIC
标准包装: 1
系列: SmartRectifier™
配置: 低端
输入类型: 自振荡
延迟时间: 52ns
电流 - 峰: 1A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 11.4 V ~ 18 V
工作温度: -25°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
配用: IRAC1166-100W-ND - BOARD DEMO 100W FOR IR1166
其它名称: IR1166STRPBFDKR
IR1166S
Electrical Characteristics
The electrical characteristics involve the spread of values guaranteed within the specified supply voltage and
junction temperature range T J from – 25° C to 125°C. Typical values represent the median values, which are
related to 25°C. If not otherwise stated, a supply voltage of V CC =15V is assumed for test condition.
Supply Section
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Remarks
Supply Voltage Operating Range
V CC
11.4
18
V CC Turn On Threshold
V CC ON
9.8
10.6
11.3
V CC Turn Off Threshold
(Under Voltage Lock Out)
V CC Turn On/Off Hysteresis
V CC UVLO
V CC HYST
8.4
1.4
9
1.57
9.7
1.7
V
Operating Current
Quiescent Current
Start-up Current
Sleep Current
I CC
I QCC
I CC START
I SLEEP
8
47
1.7
92
145
10
65
2.2
200
200
mA
μ A
C LOAD =1nF, fsw = 400kHz
C LOAD =10nF, fsw = 400kHz
V CC =V CC ON - 0.1V
V EN =0V, V CC =15V
Enable Voltage High
Enable Voltage Low
Enable Pull-up Resistance
V ENHI
V ENLO
R EN
2.15
1.2
2.71
1.6
1.5
3.2
2
V
M ?
GBD
Comparator Section
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Remarks
-7
-3
0
OVT = 0V, V S =0V
Turn-off Threshold
Turn-on Threshold
V TH1
V TH2
-15
-23
-150
-10.3
-18.7
-7
-15
-50
mV
OVT floating, V S =0V
OVT = V CC , V S =0V
Hysteresis
V HYST
63
Input Bias Current
Comparator Input Offset
Input CM Voltage Range
I IBIAS1
I IBIAS2
V OFFSET
V CM
-0.15
1
23
7.5
100
2
2
μ A
mV
V
V D = -50mV
V D = 200V
GBD
One-Shot Section
Parameters
Blanking pulse duration
Reset Threshold
Hysteresis
Symbol
t BLANK
V TH3
V HYST3
Min.
9
Typ.
15
2.5
5.4
40
Max.
25
Units
μ s
V
mV
Remarks
V CC =10V - GBD
V CC =20V - GBD
V CC =10V - GBD
6
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
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