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参数资料
| 型号： | IR1167ASPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | SmartRectifier™ |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 自振荡 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 12 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR1167(A,B)S
Electrical Characteristics
The electrical characteristics involve the spread of values guaranteed within the specified supply voltage and
junction temperature range T J from – 25° C to 125°C. Typical values represent the median values, which are
related to 25°C. If not otherwise stated, a supply voltage of V CC =15V is assumed for test condition.
Supply Section
Parameters
Supply Voltage Operating
Range
V CC Turn On Threshold
V CC Turn Off Threshold
(Under Voltage Lock Out)
V CC Turn On/Off Hysteresis
Symbol
V CC
V CC ON
V CC UVLO
V CC HYST
Min.
12
9.8
8.4
1.4
Typ.
10.5
9
1.55
Max.
18
11.3
9.7
1.7
Units
V
GBD
Remarks
Operating Current
IR1167A
IR1167B
I CC
8.5
50
10.3
66
10
65
12
80
mA
C LOAD =1nF, fsw=400kHz
C LOAD =10nF, fsw=400kHz
C LOAD =1nF, fsw=400kHz
C LOAD =10nF, fsw=400kHz
Quiescent Current
I QCC
1.8
2.2
Start-up Current
Sleep Current
I CC START
I SLEEP
100
150
200
200
μA
V CC =V CC ON - 0.1V
V EN =0V, V CC =15V
Enable Voltage High
Enable Voltage Low
Enable Pull-up Resistance
V ENHI
V ENLO
R EN
2.15
1.2
2.75
1.6
1.5
3.2
2
V
M ?
GBD
Comparator Section
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
Remarks
-7
-3.5
0
OVT = 0V, V S =0V
Turn-off Threshold
Turn-on Threshold
V TH1
V TH2
-15
-23
-150
-10.5
-19
-7
-15
-50
mV
OVT floating, V S =0V
OVT = V CC , V S =0V
Hysteresis
V HYST
55
Input Bias Current
Comparator Input Offset
Input CM Voltage Range
I IBIAS1
I IBIAS2
V OFFSET
V CM
-0.15
1
30
7.5
100
2
2
μA
mV
V
V D = -50mV
V D = 200V
GBD
One-Shot Section
Parameters
Blanking pulse duration
Reset Threshold
Hysteresis
Symbol
t BLANK
V TH3
V HYST3
Min.
9
Typ.
15
2.5
5.4
40
Max.
25
Units
μs
V
mV
Remarks
V CC =10V - GBD
V CC =20V - GBD
V CC =10V - GBD
6
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IR1167BSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC SmartRectifier Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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