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参数资料
| 型号： | IR1167ASPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | SmartRectifier™ |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 自振荡 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 12 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR1167(A,B)S
Electrical Characteristics
The electrical characteristics involve the spread of values guaranteed within the specified supply voltage and
junction temperature range T J from – 25° C to 125°C. Typical values represent the median values, which are
related to 25°C. If not otherwise stated, a supply voltage of V CC =15V is assumed for test condition.
Minimum On Time Section
Parameters
Minimum on time
Symbol
T ONmin
Min.
190
2.4
Typ.
240
3
Max.
290
3.6
Units
ns
μs
Remarks
R MOT =5k ??? V CC =12V
R MOT =75k ??? V CC =12V
Gate Driver Section
Parameters
Gate Low Voltage
Symbol
V GLO
Min.
Typ.
0.3
Max.
0.5
Units
Remarks
I GATE = 200mA
Gate High Voltage
IR1167A
IR1167B
V GTH
9
12
10.7
14.5
12.5
16.5
V
V CC =12V-18V (internally clamped)
V CC =12V-18V (internally clamped)
Rise Time
t r1
t r2
18
125
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
Fall Time
Turn on Propagation Delay
Turn off Propagation Delay
Pull up Resistance
Pull down Resistance
Output Peak Current (source)
Output Peak Current (sink)
t f1
t f2
t Don
t Doff
r up
r down
I O source
I O sink
10
30
60
40
4
0.7
2
7
80
65
ns
?
A
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
V DS to V GATE -100mV overdrive
V DS to V GATE -100mV overdrive
I GATE = 1A - GBD
I GATE = -200mA
C LOAD = 10nF - GBD
7
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 345-070-540-201 | CARDEDGE 70POS DUAL .100 GREEN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR1167ASPBF_09 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SmartRectifierTM CONTROL IC |
| IR1167ASTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC SmartRectifier Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR1167ASTRPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:IR1167ASPbF Series 18 V 500 kHz SMT Smart RectifierTM Control IC - SOIC-8 |
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| IR1167BSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC SmartRectifier Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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