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参数资料
| 型号： | IR1167BSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | SmartRectifier™ |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 自振荡 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 12 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR1167(A,B)S
Absolute Maximum Ratings
St ress beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device.
These are stress ratings only and functional operation of the device at these conditions are not implied. All
voltages are absolute voltages referenced to GND. Thermal resistance and power dissipation are measured under
board mounted and still air conditions.
Parameters
Supply Voltage
Enable Voltage
Cont. Drain Sense Voltage
Pulse Drain Sense Voltage
Source Sense Voltage
Symbol
V CC
V EN
V D
V D
V S
Min.
-0.3
-0.3
-3
-5
-3
Max.
20
20
200
200
20
Units
V
Remarks
Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
V GATE
T J
T S
-0.3
-40
-55
20
150
150
°C
V CC =20V, Gate off
Thermal Resistance
Package Power Dissipation
R θJA
P D
128
970
°C/W
mW
SOIC-8
SOIC-8, T AMB =25°C
ESD Protection
Switching Frequency
V ESD
fsw
2
500
kV
kHz
Human Body Model
?
?
Per EIA/JESD22-A114-B (discharging a 100pF
capacitor through a 1.5k ? series
resistor).
5
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR1167BSTRPBF | 功能描述:功率驱动器IC SmartRectifier Cntrl IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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