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参数资料
| 型号： | IR1167BSPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER N-CHAN 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | SmartRectifier™ |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 自振荡 |
| 延迟时间： | 60ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 12 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR1167(A,B)S
Electrical Characteristics
The electrical characteristics involve the spread of values guaranteed within the specified supply voltage and
junction temperature range T J from – 25° C to 125°C. Typical values represent the median values, which are
related to 25°C. If not otherwise stated, a supply voltage of V CC =15V is assumed for test condition.
Minimum On Time Section
Parameters
Minimum on time
Symbol
T ONmin
Min.
190
2.4
Typ.
240
3
Max.
290
3.6
Units
ns
μs
Remarks
R MOT =5k ??? V CC =12V
R MOT =75k ??? V CC =12V
Gate Driver Section
Parameters
Gate Low Voltage
Symbol
V GLO
Min.
Typ.
0.3
Max.
0.5
Units
Remarks
I GATE = 200mA
Gate High Voltage
IR1167A
IR1167B
V GTH
9
12
10.7
14.5
12.5
16.5
V
V CC =12V-18V (internally clamped)
V CC =12V-18V (internally clamped)
Rise Time
t r1
t r2
18
125
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
Fall Time
Turn on Propagation Delay
Turn off Propagation Delay
Pull up Resistance
Pull down Resistance
Output Peak Current (source)
Output Peak Current (sink)
t f1
t f2
t Don
t Doff
r up
r down
I O source
I O sink
10
30
60
40
4
0.7
2
7
80
65
ns
?
A
C LOAD = 1nF, V CC =12V
C LOAD = 10nF, V CC =12V
V DS to V GATE -100mV overdrive
V DS to V GATE -100mV overdrive
I GATE = 1A - GBD
I GATE = -200mA
C LOAD = 10nF - GBD
7
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
Nov 6, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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