- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录331 > IR2103SPBF (International Rectifier)IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IR2103SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 680ns |
| 电流 - 峰： | 210mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR2103(S)PBF
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, C L = 1000 pF and T A = 25°C unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min.
Typ.
Max.
Units
Test Conditions
t on
t off
t r
t f
DT
MT
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Deadtime, LS turn-off to HS turn-on
& HS turn-on to LS turn-off
Delay matching, HS & LS turn on/off
—
—
—
—
400
—
680
150
100
50
520
—
820
220
170
60
650
60
ns
V S = 0V
V S = 600V
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V and T A = 25°C unless otherwise specified. The V IN , V TH, and I IN parameters are
referenced to COM. The V O and I O parameters are referenced to COM and are applicable to the respective
output leads: HO or LO.
Symbol
V IH
V IL
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
Definition
LIN
Logic ―1‖ (HIN) & Logic ―0‖ ( ˉˉˉ)
input voltage
LIN
Logic ―0‖ (HIN) & Logic ―1‖ ( ˉˉˉ)
input voltage
High level output voltage V BIAS - V O
Low level output voltage, V O
Offset supply leakage current
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
Min.
3
—
—
—
—
—
Typ.
—
—
—
—
—
30
150
Max.
—
0.8
100
100
50
55
270
Units
V
mV
μA
Test Conditions
V CC = 10V to 20V
V CC = 10V to 20V
I O = 0A
I O = 0A
V B = V S = 600V
V IN = 0V or 5V
V IN = 0V or 5V
I IN+
I IN-
V CCUV+
V CCUV-
Logic ―1‖ input bias current
Logic ―0‖ input bias current
V CC supply undervoltage positive
going threshold
V CC supply undervoltage negative
going threshold
—
—
8
7.4
3
—
8.9
8.2
10
1
9.8
9
V
LIN
LIN
H IN = 5V, ˉˉˉ =0V
H IN = 0V, ˉˉˉ =5V
I O+
I O-
Output high short circuit pulsed
current
Output low short circuit pulsed
current
130
270
210
360
—
—
mA
V O = 0V, V IN = V IH
PW ≤ 10 μs
V O = 15V , V IN = V IL
PW ≤ 10 μs
5
www.irf.com
? 2013 International Rectifier
April 18, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2104STRPBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC |
| IR2105STR | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC |
| IR2106PBF | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP |
| IR2108PBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP |
| IR21091STRPBF | IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2103STR | 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2103STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Half Bridge Driver 520ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2104 | 功能描述:IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR21044 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:HIGH AND LOW SIDE DRIVER(205.08 k) |
| IR2104PBF | 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr 1 Inpt + Invrt ShutDwn Pin RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。