参数资料
型号: IR21084STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 23/23页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC
标准包装: 1
配置: 半桥
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 220ns
电流 - 峰: 200mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 14-SOIC(窄型)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1381 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IR21084SPBFDKR
IR2108 ( 4 ) (S) & (PbF)
ORDER INFORMATION
Basic Part (Non-Lead Free)
Lead-Free Part
8-Lead PDIP IR2108
8-Lead SOIC IR2108S
14-Lead PDIP IR21084
14-Lead SOICIR21084S
order
order
order
order
IR2108
IR2108S
IR21084
IR21084S
8-Lead PDIP IR2108
8-Lead SOIC IR2108S
14-Lead PDIP IR21084
14-Lead SOIC IR21084S
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order
IR2108PbF
IR2108SPbF
IR21084PbF
IR21084SPbF
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www.irf.com
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PDF描述
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RH-1215D/P CONV DC/DC 1W 12VIN +/-15VOUT
RH-1215D/H CONV DC/DC 1W 12VIN +/-15VOUT
RH-1212D/P CONV DC/DC 1W 12VIN +/-12VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
IR2108PBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2108S 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2108SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2108STR 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2108STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube