参数资料
型号: IR21084STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/23页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC
标准包装: 1
配置: 半桥
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 220ns
电流 - 峰: 200mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 14-SOIC(窄型)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1381 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IR21084SPBFDKR
IR2108 ( 4 ) (S) & (PbF)
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, V SS = COM, C L = 1000 pF, T A = 25 ° C, DT = VSS unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
ton
toff
MT
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Delay matching | ton - toff |
220
200
0
300
280
30
VS = 0V
V S = 0V or 600V
tr
tf
DT
MDT
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Deadtime: LO turn-off to HO turn-on(DT LO-HO) &
HO turn-off to LO turn-on (DT HO-LO)
Deadtime matching = | DT LO-HO - DT HO-LO |
400
4
150
50
540
5
0
0
220
80
680
6
60
600
nsec
usec
nsec
V S = 0V
V S = 0V
RDT= 0
RDT = 200k (IR21084)
RDT=0
RDT = 200k (IR21084)
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, V SS = COM, DT= V SS and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The V IL , V IH and I IN
parameters are referenced to V SS /COM and are applicable to the respective input leads: HIN and LIN. The V O , I O and Ron
parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO and LO.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
Logic “1” input voltage for HIN & logic “0” for LIN
2.9
V CC = 10V to 20V
V IL
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
Logic “0” input voltage for HIN & logic “1” for LIN
High level output voltage, V BIAS - V O
Low level output voltage, V O
Offset supply leakage current
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
20
0.4
0.8
0.3
75
1.0
0.8
1.4
0.6
50
130
1.6
V
μ A
mA
V CC = 10V to 20V
I O = 20 mA
I O = 20 mA
V B = V S = 600V
V IN = 0V or 5V
V IN = 0V or 5V
RDT=0
I IN+
I IN-
V CCUV+
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
V CC and V BS supply undervoltage positive going
8.0
5
8.9
20
2
9.8
μ A
HIN = 5V, LIN = 0V
HIN = 0V, LIN = 5V
V BSUV+
threshold
V CCUV-
V BSUV-
V CCUVH
V CC and V BS supply undervoltage negative going
threshold
Hysteresis
7.4
0.3
8.2
0.7
9.0
V
V BSUVH
I O+
Output high short circuit pulsed current
120
200
V O = 0V,
I O-
Output low short circuit pulsed current
250
350
mA
PW ≤ 10 μ s
V O = 15V,
PW ≤ 10 μ s
www.irf.com
3
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