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参数资料
| 型号： | IR2108STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 220ns |
| 电流 - 峰： | 200mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IR2108SPBFDKR |
IR2108 ( 4 ) (S) & (PbF)
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, V SS = COM, C L = 1000 pF, T A = 25 ° C, DT = VSS unless otherwise specified.
Symbol
Definition
Min.
Typ.
Max. Units Test Conditions
ton
toff
MT
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Delay matching | ton - toff |
—
—
—
220
200
0
300
280
30
VS = 0V
V S = 0V or 600V
tr
tf
DT
MDT
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Deadtime: LO turn-off to HO turn-on(DT LO-HO) &
HO turn-off to LO turn-on (DT HO-LO)
Deadtime matching = | DT LO-HO - DT HO-LO |
—
—
400
4
—
—
150
50
540
5
0
0
220
80
680
6
60
600
nsec
usec
nsec
V S = 0V
V S = 0V
RDT= 0
RDT = 200k (IR21084)
RDT=0
RDT = 200k (IR21084)
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, V SS = COM, DT= V SS and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The V IL , V IH and I IN
parameters are referenced to V SS /COM and are applicable to the respective input leads: HIN and LIN. The V O , I O and Ron
parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO and LO.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
Logic “1” input voltage for HIN & logic “0” for LIN
2.9
—
—
V CC = 10V to 20V
V IL
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
Logic “0” input voltage for HIN & logic “1” for LIN
High level output voltage, V BIAS - V O
Low level output voltage, V O
Offset supply leakage current
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
—
—
—
—
20
0.4
—
0.8
0.3
—
75
1.0
0.8
1.4
0.6
50
130
1.6
V
μ A
mA
V CC = 10V to 20V
I O = 20 mA
I O = 20 mA
V B = V S = 600V
V IN = 0V or 5V
V IN = 0V or 5V
RDT=0
I IN+
I IN-
V CCUV+
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
V CC and V BS supply undervoltage positive going
—
—
8.0
5
—
8.9
20
2
9.8
μ A
HIN = 5V, LIN = 0V
HIN = 0V, LIN = 5V
V BSUV+
threshold
V CCUV-
V BSUV-
V CCUVH
V CC and V BS supply undervoltage negative going
threshold
Hysteresis
7.4
0.3
8.2
0.7
9.0
—
V
V BSUVH
I O+
Output high short circuit pulsed current
120
200
—
V O = 0V,
I O-
Output low short circuit pulsed current
250
350
—
mA
PW ≤ 10 μ s
V O = 15V,
PW ≤ 10 μ s
www.irf.com
3
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