参数资料
型号: IR2109
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/25页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP
标准包装: 50
配置: 半桥
输入类型: 非反相
延迟时间: 750ns
电流 - 峰: 200mA
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-DIP
包装: 管件
其它名称: *IR2109
IR2109(4) ( S ) & (PbF)
IN
IN (LO)
SD
IN (HO)
50%
50%
HO
ton
tr
90%
toff
90%
tf
LO
LO
HO
10%
10%
Figure 1. Input/Output Timing Diagram
Figure 2. Switching Time Waveform Definitions
SD
50%
50%
50%
tsd
IN
90%
HO
LO
90%
HO
LO
DT LO-HO
90%
10%
DT HO-LO
Figure 3. Shutdown Waveform Definitions
10%
MDT=
DT LO-HO
- DT HO-LO
IN (LO)
IN (HO)
50%
MT
LO
50%
HO
10%
90%
MT
Figure 4. Deadtime Waveform Definitions
LO
HO
Figure 5. Delay Matching Waveform Definitions
www.irf.com
7
相关PDF资料
PDF描述
VI-JN4-CW-F2 CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
T95D227M010LZSL CAP TANT 220UF 10V 20% 2917
MKP3V240 SIDAC BIDIRECT 1A 240V DO-201AD
MLG1005S20NJ INDUCTOR MULTILAYER 20NH 0402
GEC17DRAS CONN EDGECARD 34POS R/A .100 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
IR21091 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER
IR21091PBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 750ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21091S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HALF-BRIDGE DRIVER
IR21091SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 750ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR21091STRPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 120mA 750ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube