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参数资料
| 型号： | IR2110STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，独立 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 120ns |
| 电流 - 峰： | 2.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 500V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IR2110SPBFDKR |
IR2110( - 1 - 2)(S)PbF/IR2113( - 1 - 2)(S)PbF
60
50
40
30
20
5.00
4.00
3.00
2.00
10
0
1.00
Max.
0
2
4
6
8
10 12
14
16
18
20
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V DD Logic Supply Voltage (V)
Figure 20B. Logic “1” Input Current vs. V DD Voltage
5
4
3
Temperature (°C)
Figure 21A. Logic “0” Input Current vs. Temperature
11.0
10.0
Max.
9.0
2
1
8.0
Typ.
Min.
7.0
0
0
2
4
6 8 10 12
V DD Logic Supply Voltage (V)
14 16
18 20
6.0
-50
-25
0
25 50
Temperature (°C)
75
100
125
Figure 21B. Logic “0” Input Current vs. V DD Voltage
11.0
10.0
Figure 22. V BS Undervoltage (+) vs. Temperature
11.0
10.0
Max.
Max.
9.0
9.0
Typ.
8.0
7.0
Typ.
Min.
8.0
7.0
Min.
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
12
Temperature (°C)
Figure 23. V BS Undervoltage (-) vs. Temperature
Temperature (°C)
Figure 24. V CC Undervoltage (+) vs. Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN-1509S/P | CONV DC/DC 1.25W 15VIN 09VOUT |
| 1N5821 | DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO-201AD |
| RN-1509S/H | CONV DC/DC 1.25W 15VIN 09VOUT |
| RPM40-483.3SG | CONV DC/DC 40W 36-75VIN 3.3VOUT |
| RN-1507S | CONV DC/DC 1.25W 15VIN 07VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2111 | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2111PBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2111S | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2111SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2111STR | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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