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参数资料
| 型号： | IR2111 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 12/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2111 |
IR2111 ( S ) & (PbF)
150
320
150
320V
160V
125
125
100
75
50
25
0
160
30V
100
75
50
25
0
30V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 31. IR2111 T J vs. Frequency (IRFBC20)
R GATE = 33 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 32. IR2111 T J vs. Frequency (IRFBC30)
R GATE = 22 ? , V CC = 15V
150
125
100
75
50
25
0
320V 160V
30V
150
125
100
75
50
25
0
320V 160V 30V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
12
Frequency (Hz)
Figure33. IR2111 T J vs. Frequency (IRFBC40)
R GATE = 15 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 34. IR2111 T J vs. Frequency (IRFPC50)
R GATE = 10 ? , V CC = 15V
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJZ-0924S | CONV DC/DC 2W 09VIN 24VOUT |
| BAS70W-06-7 | DIODE SCHTKY CA 70V 200MW SC70-3 |
| VE-J3L-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W |
| RCC05DRTN-S734 | CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD |
| RJZ-0915S | CONV DC/DC 2W 09VIN 15VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2111PBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2111S | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2111SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2111STR | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2111STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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