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参数资料
| 型号： | IR2111 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2111 |
IR2111 ( S ) & (PbF)
1500
1500
1250
1000
750
500
250
0
M ax.
T yp.
M in.
1250
1000
750
500
250
0
Max.
Typ.
Min.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature ( C)
400
350
300
o
Figure 11A Turn-On Time vs Temperature
V BIA S Supply V oltage (V)
Figure 11B Turn-On Time vs Voltage
400
350
300
250
200
150
100
50
0
Max
Typ
250
200
150
100
50
0
Max
Typ
-50
-25
0 25 50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
VBIAS Supply Voltage (V)
400
350
300
250
Figure 12A Turn-Off Time vs Temperature
400
350
300
250
Figure 12B Turn-Off Time vs Voltage
200
150
100
50
0
Max
Typ
200
150
100
50
0
Max
Typ
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
6
Temperature (°C)
Figure 13A Turn-On RiseTime vs Temperature
V B IA S Supply V oltage (V )
Figure 13B Turn-On RiseTime vs Voltage
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RJZ-0924S | CONV DC/DC 2W 09VIN 24VOUT |
| BAS70W-06-7 | DIODE SCHTKY CA 70V 200MW SC70-3 |
| VE-J3L-CW-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W |
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| RJZ-0915S | CONV DC/DC 2W 09VIN 15VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2111PBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2111S | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2111SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2111STR | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2111STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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