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参数资料
| 型号： | IR2111SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR2111 ( S ) & (PbF)
11
11
10
9
8
Max.
Typ.
Min.
10
9
8
Max.
Typ.
Min.
7
6
7
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-50
-25
0
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-50
-25
0
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Temperature (°C)
Figure 27 V CC Undervoltage (-) vs Temperature
500
400
300
Typ.
Temperature (°C)
Figure 28 V CC Undervoltage (-) vs Temperature
500
400
Typ.
300
200
200
Min.
100
Min.
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0
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-25
0
25
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Temperature (°C)
Figure 29A Output Source Current vs Temperature
750
600
VBIAS Supply Voltage (V)
Figure 29B Output Source Current vs Voltage
750
600
450
300
150
Typ.
Min.
450
300
150
Typ.
Min.
0
-50
-25
0
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75
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0
10
12 14 16 18
VBIAS Supply Voltage (V)
20
Temperature (°C)
Figure 30A Output Sink Current vs Temperature
www.irf.com
Figure 30B Output Sink Current vs Voltage
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECC06DRTN-S734 | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
| EBM12DRYN | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| EBM12DRYH | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| ECM12DRPN | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| ECM12DRPH | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2111STR | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2111STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2112 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2112-1 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112-1PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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