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参数资料
| 型号： | IR2111SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR2111 ( S ) & (PbF)
500
400
300
500
400
300
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Max.
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100
100
M ax .
0
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-25
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600
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100
50
0
Temperature (°C)
Figure 20A Offset Supply Current vs
Temperature
Max.
Typ .
V B B oos t V oltage (v)
Figure 20B Offset Supply Current vs Voltage
200
150
Max.
100
Typ .
50
0
-50
-25
0
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75
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18
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Temperature (°C)
Figure 21A VBS Supply Current vs Temperature
500
400
300
VBS Floating Supply Voltage (V)
Figure 21B VBS Supply Current vs Voltage
500
400
300
200
100
Max .
Typ .
200
100
Max
Typ
0
0
-50
-25
0
25
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10
12
14
16
18
20
Temperature (°C)
Figure 22A VCC Supply Current vs Temperature
www.irf.com
V cc F ixed S upply V oltage (V )
Figure 22B VCC Supply Current vs Voltage
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECC06DRTN-S734 | CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD |
| EBM12DRYN | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| EBM12DRYH | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| ECM12DRPN | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| ECM12DRPH | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2111STR | 功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2111STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2112 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
| IR2112-1 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112-1PBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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