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参数资料
| 型号： | IR2112PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| 中文描述： | 高端和低端驱动 |
| 文件页数： | 5/17页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | IR2112PBF |
IR2112(S) & (PbF)
www.irf.com
13
Figure 28. IR2112 TJ vs. Frequency (IRFBC20)
RGATE = 33
, VCC = 15V
Figure 29. IR2112 TJ vs. Frequency (IRFBC30)
RGATE = 22
, VCC = 15V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Junction
Temperature
(°C)
320V
140V
10V
0
25
50
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100
125
150
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Junction
Temperature
(°C)
320V
140V
10V
Figure 33. IR2112S TJ vs. Frequency (IRFBC30)
RGATE = 22
, VCC = 15V
Figure 32. IR2112S TJ vs. Frequency (IRFBC20)
RGATE = 33
, VCC = 15V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Junction
Temperature
(°C)
320V
140V
10V
0
25
50
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1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Junction
Temperature
(°C)
320V
140V
10V
Figure 31. IR2112 TJ vs. Frequency (IRFPE50)
RGATE = 10
, VCC = 15V
Figure 30. IR2112 TJ vs. Frequency (IRFBC40)
RGATE = 15
, VCC = 15V
0
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100
125
150
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Junction
Temperature
(°C)
320V
140V
10V
0
25
50
75
100
125
150
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Junction
Temperature
(°C)
320V 140V 10V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2112S | HIGH AND LOW SIDE DRIVER |
| IR3313SPBF | PROGRAMMABLE CURRENT SENSE HIGH SIDE SWITCH |
| IR3622AMTRPbF | HIGH FREQUENCY 2-PHASE, SINGLE OR DUAL OUTPUT SYNCHRONOUS STEP DOWN CONTROLLER WITH OUTPUT TRACKING AND SEQUENCING |
| IR3628MPBF | HIGH FREQUENCY SYNCHRONOUS PWM BUCK CONTROLLER |
| IR3628MTRPBF | HIGH FREQUENCY SYNCHRONOUS PWM BUCK CONTROLLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2112S | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2112STR | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2112STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2113 | 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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