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参数资料
| 型号： | IR2117SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 1CHAN 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
Data Sheet No. PD60146 Rev O
IR2117(S)/IR2118(S) & (PbF)
SINGLE CHANNEL DRIVER
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Product Summary
V OFFSET
600V max.
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
? Gate drive supply range from 10 to 20V
? Undervoltage lockout
? CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
? Output in phase with input (IR2117) or out of
phase with input (IR2118)
? Also available LEAD-FREE
Description
The IR2117/IR2118(S) is a high voltage, high speed
power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and
latch immune CMOS technologies enable ruggedized
monolithic construction. The logic input is compatible
with standard CMOS outputs. The output driver fea-
tures a high pulse current buffer stage designed for
minimum cross-conduction. The floating channel can
be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT
I O +/-
V OUT
t on/off (typ.)
Packages
8-Lead PDIP
IR2117/IR2118
200 mA / 420 mA
10 - 20V
125 & 105 ns
8-Lead SOIC
IR2117S/IR2118S
in the high or low side configuration which operates up
to 600 volts.
Typical Connection
up to 600V
V CC
IN
V CC
IN
V B
HO
COM
V S
IR2117
TO
LOAD
up to 600V
V CC
IN
V CC
IN
V B
HO
(Refer to Lead Assignments for correct pin configuration).
COM
V S
IR2118
TO
LOAD
This/These diagram(s) show electrical connections only.
Please refer to our Application Notes and DesignTips for
proper circuit board layout.
www.irf.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCM10DTMS | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| GBM18DCSN | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| T95S105K035CSSL | CAP TANT 1UF 35V 10% 1507 |
| GBM18DCSH | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| T95S105K025CSSL | CAP TANT 1UF 25V 10% 1507 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2117STR | 功能描述:IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2117STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Single Ch DRVR 600V 200mA 125ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2118 | 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2118PBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2118S | 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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