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参数资料
| 型号： | IR2117SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 16/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER 1CHAN 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 125ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
IR2117(S)/IR2118(S) & (PbF)
150
320V
150
320V
140V
140V
125
100
75
50
25
0
10V
125
100
75
50
25
0
10V
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 24. IR2117/IR2118 T J vs. Frequency (IRFBC20)
R GATE = 33 ? , V CC = 15V
Frequency (Hz)
Figure 25. IR2117/IR2118 T J vs. Frequency (IRFBC30)
R GATE = 22 ? , V CC = 15V
150
320V 140V
10V
150
320V 140V
10V
125
100
75
50
25
0
125
100
75
50
25
0
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
1E+2
1E+3
1E+4
1E+5
1E+6
Frequency (Hz)
Figure 26. IR2117/IR2118 T J vs. Frequency (IRFBC40)
R GATE = 15 ? , V CC = 15V
16
Frequency (Hz)
Figure 27. IR2117/IR2118 T J vs. Frequency (IRFPE50)
R GATE = 10 ? , V CC = 15V
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCM10DTMS | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| GBM18DCSN | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| T95S105K035CSSL | CAP TANT 1UF 35V 10% 1507 |
| GBM18DCSH | CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD |
| T95S105K025CSSL | CAP TANT 1UF 25V 10% 1507 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2117STR | 功能描述:IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2117STRPBF | 功能描述:功率驱动器IC Single Ch DRVR 600V 200mA 125ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2118 | 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2118PBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2118S | 功能描述:IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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