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参数资料
| 型号： | IR21271SPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER 1CHAN HV 600V 8SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 9 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
Data Sheet No. PD60143-O
IR2127(S) / IR2128(S)
IR21271(S) & (PbF)
CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER
Features
? Floating channel designed for bootstrap operation
Product Summary
?
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
Application- specific gate drive range:
Motor Drive: 12 to 20V (IR2127/IR2128)
V OFFSET
I O +/-
600V max.
200 mA / 420 mA
Automotive: 9 to 20V (IR21271)
? Undervoltage lockout
? 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
? FAULT lead indicates shutdown has occured
? Output in phase with input (IR2127/IR21271)
? Output out of phase with input (IR2128)
? Avaliable in Lead-Free
Description
The IR2127/IR2128/IR21271(S) is a high voltage, high
speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary
HVIC and latch immune CMOS technologies enable
ruggedized monolithic construction. The logic input is
compatible with standard CMOS or LSTTL outputs,
down to 3.3V. The protection circuity detects over-cur-
rent in the driven power transistor and terminates the
gate drive voltage. An open drain FAULT signal is pro-
vided to indicate that an over-current shutdown has oc-
curred. The output driver features a high pulse current
buffer stage designed for minimum cross-conduction.
The floating channel can be used to drive an N-chan-
nel power MOSFET or IGBT in the high side or low
side configuration which operates up to 600 volts.
Typical Connection
V OUT 12 - 20V 9 - 20V
(IR2127/IR2128) (IR21271)
V CSth 250 mV or 1.8V
t on/off (typ.) 200 & 150 ns
Packages
8-Lead PDIP
8-Lead SOIC
V CC
IN
FAULT
V CC
IN
FAULT
COM
V B
HO
CS
V S
IR2127/IR21271
(Refer to Lead Assignments for correct pin
configuration). This/These diagram(s) show
electrical connections only. Please refer to
our Application Notes and DesignTips for
V CC
IN
FAULT
V CC
IN
FAULT
COM
V B
HO
CS
V S
IR2128
proper circuit board layout.
www.irf.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS2112PBF | IC DRIVER HI/LO SIDE 600V 14-DIP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR21271STR | 功能描述:IC DRIVER SGL CH HV 600V 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127 |
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| IR2127PBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2127S | 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2127SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR NONINVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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