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参数资料
| 型号： | IR2127STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER CURR SENSE 1CHAN 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 200ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 12 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IR2127SPBFDKR |
IR2127(S) / IR21271(S) / IR2128(S) & (PbF)
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, C L = 1000 pF and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The dynamic electrical characteristics
are measured using the test circuit shown in Figure 3.
Symbol
Definition
Min.
Typ. Max. Units Test Conditions
t on
t off
t r
t f
t bl
t cs
t flt
Turn-On Propagation Delay
Turn-Off Propagation Delay
Turn-On Rise Time
Turn-Off Fall Time
Start-Up Blanking Time
CS Shutdown Propagation Delay
CS to FAULT Pull-Up Propagation Delay
—
—
—
—
500
—
—
200
150
80
40
700
240
340
250
200
130
65
900
360
510
ns
V S = 0V
V S = 600V
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters are referenced to
COM. The V O and I O parameters are referenced to V S .
Symbol
Definition
Min.
Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
V IL
V CSTH+
Logic “1” Input Voltage
Logic “0” Input Voltage
Logic “0” Input Voltage
Logic “1” Input Voltage
CS Input Positive
Going Threshold
(IR2127/IR21271)
(IR2128)
(IR2127/IR21271)
(IR2128)
(IR2127/IR2128)
(IR21271)
3.0
—
180
—
—
—
250
1.8
—
0.8
320
—
V
mV
V
V CC = 10V to 20V
V OH
V OL
I LK
I QBS
I QCC
I IN+
I IN-
I CS+
I CS-
V BSUV+
V BSUV-
I O+
High Level Output Voltage, V BIAS - V O
Low Level Output Voltage, V O
Offset Supply Leakage Current
Quiescent V BS Supply Current
Quiescent V CC Supply Current
Logic “1” Input Bias Current
Logic “0” Input Bias Current
“High” CS Bias Current
“High” CS Bias Current
V BS Supply Undervoltage
(IR2127/IR2128)
Positive Going Threshold
(IR21271)
(IR2127/IR2128)
V BS Supply Undervoltage
(IR21271)
Negative Going Threshold
Output High Short Circuit Pulsed Current
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.8
6.3
7.5
6.0
200
—
—
—
200
60
7.0
—
—
—
10.3
7.2
9.0
6.8
250
100
100
50
400
120
15
1.0
1.0
1.0
11.8
8.2
10.6
7.7
—
mV
μ A
V
I O = 0A
I O = 0A
V B = V S = 600V
V IN = 0V or 5V
V IN = 5V
V IN = 0V
V CS = 3V
V CS = 0V
V O = 0V, V IN = 5V
mA
PW ≤ 10 μ s
I O-
Output Low Short Circuit Pulsed Current
420
500
—
V O = 15V, V IN = 0V
PW ≤ 10 μ s
Ron, FLT
FAULT - Low on Resistance
—
125
—
?
www.irf.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECM06DCCS-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD |
| T95Y476K6R3HSSL | CAP TANT 47UF 6.3V 10% 2910 |
| M7KKK-1410R | IDC CABLE - MDG14K/MC14M/MDG14K |
| R0.25D-3.305-R | CONV DC/DC 0.25W 3.3VIN +/-5VOUT |
| R1S8-0505/EP | CONV DC/DC 1W 05VIN 05VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR2128PBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2128S | 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2128SPBF | 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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