参数资料
型号: IR2127STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 5/16页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER CURR SENSE 1CHAN 8SOIC
标准包装: 1
配置: 高端
输入类型: 非反相
延迟时间: 200ns
电流 - 峰: 250mA
配置数: 1
输出数: 1
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 12 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
其它名称: IR2127SPBFDKR
IR2127(S) / IR21271(S) / IR2128(S) & (PbF)
Lead Definitions
Symbol
V CC
IN
FAULT
COM
V B
HO
V S
CS
Description
Logic and gate drive supply
Logic input for gate driver output (HO), in phase with HO (IR2127/IR21271)
out of phase with HO (IR2128)
Indicates over-current shutdown has occurred, negative logic
Logic ground
High side floating supply
High side gate drive output
High side floating supply return
Current sense input to current sense comparator
Lead Assignments
www.irf.com
8 Lead PDIP
IR2127/IR21271
8 Lead PDIP
IR2128
8 Lead SOIC
IR2127S/IR21271S
8 Lead SOIC
IR2128S
5
相关PDF资料
PDF描述
ECM06DCCS-S189 CONN EDGECARD 12POS R/A .156 SLD
T95Y476K6R3HSSL CAP TANT 47UF 6.3V 10% 2910
M7KKK-1410R IDC CABLE - MDG14K/MC14M/MDG14K
R0.25D-3.305-R CONV DC/DC 0.25W 3.3VIN +/-5VOUT
R1S8-0505/EP CONV DC/DC 1W 05VIN 05VOUT
相关代理商/技术参数
参数描述
IR2128 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2128PBF 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2128S 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2128SPBF 功能描述:功率驱动器IC 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2128STR 功能描述:IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件