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参数资料
| 型号： | IR2151 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 自振荡 |
| 电流 - 峰： | 125mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-DIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IR2151 |
IR2151
Functional Block Diagram
V B
R T
R
-
+
R
Q
DEAD
TIME
PULSE
GEN
HV
LEVEL
SHIFT
PULSE
FILTER
R
S
Q
HO
V S
R
-
S
Q
15.6V
V CC
C T
+
R
UV
DETECT
DEAD
TIME
DELAY
LO
COM
Lead Definitions
Symbol Description
R T
C T
Oscillator timing resistor input,in phase with LO for normal IC operation
Oscillator timing capacitor input, the oscillator frequency according to the following equation:
f =
1
1.4 × (R T + 75 ? ) × C T
where 75 ? is the effective impedance of the R T output stage
V B
HO
V S
V CC
LO
COM
High side floating supply
High side gate drive output
High side floating supply return
Low side and logic fixed supply
Low side gate drive output
Low side return
Lead Assignments
8 Lead DIP
IR2151
4
8 Lead SOIC
IR2151S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F950J157MBAAQ2 | CAP TANT 150UF 6.3V 20% 1210 |
| GCM10DRKN | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| GCM10DRKH | CONN EDGECARD 20POS DIP .156 SLD |
| T95X106M010LSAL | CAP TANT 10UF 10V 20% 2910 |
| 345-062-523-202 | CARDEDGE 62POS DUAL .100 GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IR2151PBF | 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2151S | 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2151SPBF | 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 100mA 1.2us RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IR2151STR | 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
| IR2152 | 功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件 |
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