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参数资料
| 型号： | IR2167STRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 28/33页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PFC BALLAST CTLR 20-SOIC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | PFC/镇流器控制器 |
| 频率： | 41 ~ 47 kHz |
| 电流 - 电源： | 10mA |
| 电源电压： | 11.4 V ~ 15.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-SOIC（宽型） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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IR2167(S) & PbF
Deadtime is equal to:
td = 0 . 69 ? R DT ? C T
The following graphs, figures 25 and 26, illustrate the
relationship between the effective resistance (i.e. the parallel
combination of resistors which programs the CT capacitor
250
200
CT=220pF, RDT=5.6K
CT=470pF, RDT=2.7K
charging current) and the operating frequency.
150
CT=1nF, RDT=1.2K
FREQ
(KHz)
100
150
FREQ
(KHz)
100
CT=220pF,RDT=11K
CT=470pF,RDT=6.2K
CT=1nF,RDT=3K
50
0
0
5
10
15
20
RT (K ? )
25
30
35
40
50
Figure 26: fOSC vs effective RT
(tDEAD=1.0 μ sec)
Figure 27 illustrates the relationship between deadtime vs
RDT.
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
RT (K ? )
Figure 25: fOSC vs effective RT
(tDEAD=2.0 μ sec)
tDEAD
(usec)
CT = 220 pF
1
0.1
CT = 470 pF
CT = 1 nF
28
1
10
RDT (K ? )
Figure 27: Deadtime vs RDT
100
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IR2520DSTRPBF | IC BALLAST CTLR 600V IC 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IR2170S | 功能描述:IC CURRENT SENSE 600V 1MA 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳流/电流管理 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:50 系列:- 功能:电流开关 检测方法:- 精确度:±10% 输入电压:1.7 V ~ 5.5 V 电流 - 输出:600mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-UFQFN 供应商设备封装:10-UTQFN（1.4x1.8） 包装:管件 |
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| IR2171S | 功能描述:IC CURRENT SENSE 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳流/电流管理 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:50 系列:- 功能:电流开关 检测方法:- 精确度:±10% 输入电压:1.7 V ~ 5.5 V 电流 - 输出:600mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:10-UFQFN 供应商设备封装:10-UTQFN（1.4x1.8） 包装:管件 |
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