参数资料
型号: IR21834STRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 12/22页
文件大小: 0K
描述: IC DRIVER HALF BRIDGE 14SOIC
标准包装: 1
配置: 半桥
输入类型: 反相和非反相
延迟时间: 180ns
电流 - 峰: 1.9A
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 600V
电源电压: 10 V ~ 20 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 14-SOIC(窄型)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1381 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: IR21834SPBFDKR
IR2183 ( 4 )(S) & (PbF)
500
400
250
200
300
200
150
100
M ax.
Typ.
100
0
M ax.
50
0
M in.
100
200
300
400
500
600
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V B Boost Voltage (V)
Figure 13B. Offset Supply Leakage Current
vs. V B Boost Voltage
250
200
5
4
Temperature ( o C)
Figure 14A. V BS Supply Current
vs. Temperature
150
M ax.
3
100
Typ.
2
M ax.
Typ.
50
0
M in.
1
0
M in.
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V BS Floating Supply Voltage (V)
Temperature
( o C)
12
Figure 14B. V BS Supply Current
vs. V BS Floating Supply Voltage
Figure 15A. V CC Supply Current
vs. Tem perature
www.irf.com
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参数描述
IR2183PBF 功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Soft Trn On 500ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2183S 功能描述:IC DRIVER HALFBRIDGE 600V 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2183SPBF 功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2183STR 功能描述:IC DRIVER HALFBRIDGE 600V 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
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