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参数资料
| 型号： | IRC530 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.16ohm，身份证\u003d 14A条） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 226K |
| 代理商： | IRC530 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRC540 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) |
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| IRC634 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| IRC644 | Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRC530-007 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
| IRC530-008 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
| IRC530PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRC531 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
| IRC531-007 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220VAR |
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