- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录442 > IRF1010ESTRR (International Rectifier)MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF1010ESTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF1010ES/IRF1010EL
D 2 Pak Tape & Reel Information
TR R
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
F E E D D IR E C TIO N 1 .8 5 ( .0 7 3 )
4 .1 0 ( .1 6 1 )
3 .9 0 ( .1 5 3 )
1 .6 0 (.0 6 3 )
1 .5 0 (.0 5 9 )
1 1.6 0 (.4 57 )
0.3 6 8 (.01 4 5 )
0.3 4 2 (.01 3 5 )
1 .6 5 ( .0 6 5 )
1 1.4 0 (.4 49 )
1 5 .42 (.60 9 )
1 5 .22 (.60 1 )
2 4 .3 0 (.9 5 7 )
2 3 .9 0 (.9 4 1 )
TRL
1 .75 (.06 9 )
1 0.9 0 (.4 2 9)
1 0.7 0 (.4 2 1)
1 .25 (.04 9 )
16 .1 0 (.63 4 )
4 .7 2 (.1 3 6)
4 .5 2 (.1 7 8)
15 .9 0 (.62 6 )
F E E D D IR E C T IO N
N O TE S :
3 30 .00
( 14.1 73 )
MAX.
13.50 (.532 )
12.80 (.504 )
2 7.4 0 (1.079 )
2 3.9 0 (.9 41)
4
6 0.0 0 (2.36 2)
M IN .
30.4 0 (1.19 7)
M A X.
1 . CO M F OR M S TO E IA -418 .
2 . CO N TR O L LIN G D IM E N SIO N : M IL LIM E T ER .
3 . DIM E NS IO N M EA S UR E D @ H U B.
4 . IN C LU D ES FL AN G E DIST O R T IO N @ O UT E R E D G E.
26 .40 (1 .03 9)
24 .40 (.9 61 )
3
4
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the industrial market.
Qualification Standards can be found on IR ’ s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 02/02
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF1010NSTRR | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK |
| IRF1104STRR | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
| IRF1310NSTRR | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| IRF1404STRR | MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK |
| IRF1405STRR | MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF1010EZ | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF1010EZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF1010EZL | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF1010EZLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF1010EZPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。